高低溫低氣壓試驗(yàn)箱試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)及范圍！

高低溫低氣壓試驗(yàn)箱是測(cè)試低氣壓試驗(yàn)的主要設(shè)備，它可以在高溫和低溫和低壓的單一或同時(shí)作用下執(zhí)行存儲(chǔ)和運(yùn)輸可靠性測(cè)試，并且可以同時(shí)測(cè)試試件的電氣性能參數(shù)。

而電子元器件使用高低溫低氣壓試驗(yàn)箱做試驗(yàn)的目的及參考試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)如下：

一、測(cè)試目的：通用低壓測(cè)試有三種測(cè)試目的：

1）確定產(chǎn)品在常溫下是否能承受低壓環(huán)境，并在低壓環(huán)境下能正常工作。并且能夠承受氣壓的快速變化。

2）確定組件和材料在室溫下在低壓下承受電擊穿的能力，確定密封組件在不損壞的情況下承受壓差的能力，并確定低壓對(duì)組件工作特性的影響。

3）確保當(dāng)組件和材料的氣壓降低時(shí)，由于空氣和其他絕緣材料的絕緣強(qiáng)度而降低了抗電擊穿能力

 二、參考試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)：

1） G J B 150．2A一2009《軍用裝備實(shí)驗(yàn)室環(huán)境試驗(yàn)方法第二部分低氣壓( 高度） 試驗(yàn)》;

2） G J B 360B一2009《電子及電氣元件試驗(yàn)方法方法105低氣壓試驗(yàn)》( 等效美軍標(biāo)M IL—STD一202F） ;

3） G J B 548B一2005《微電子器件試驗(yàn)方法和程序方法1001低氣壓( 高空作業(yè)） 》標(biāo)M IL—STD一883D）; 

4） G B2421—2008《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)總則》;

5）G B／T 2423，21—2008《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)M 低氣壓試驗(yàn)方法》；

6） G B／T 2423．25—2008《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)Z／AM 低溫／低氣壓綜合試驗(yàn)方法;

7）G B／T 2423、26—2008《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)Z／BM 高溫／低氣壓綜合試驗(yàn)方法》；

8） G B2423．27—2005《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)Z／AM D 高溫／低氣壓綜合試驗(yàn)方法》；

9） G B／T 2424．15—2008《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程》。

10） GB 11159-1989 低氣壓試驗(yàn)箱技術(shù)條件 標(biāo)準(zhǔn)

三、試驗(yàn)條件：

試驗(yàn)壓力

GJB 548列出了總共A、 B、 C、 D、 E、 F、 G7在不同條件下的不同大氣壓值，并且給定的測(cè)試條件具有一定的規(guī)律性，隨著飛行高度從低到高，壓力價(jià)值從大到小變化； GJB 360給出A、 B、 C、 D、 E、 F、 G、 H、 I、 J 10不同條件下的海拔壓力值，以及所列的海拔-氣壓計(jì)從A到E的測(cè)試條件具有一定的規(guī)律性。隨著飛行高度從低到高變化，氣壓值從大到小變化，但是從測(cè)試條件F到測(cè)試條件J沒有規(guī)律性。與GJB 548中列出的測(cè)試條件相比，GJB 360測(cè)試條件從條件H為測(cè)試條件J，相應(yīng)的氣壓和海拔條件為：H：3000m 70kPa； J：18 000m，7、 6kPa； K：25 000m，2、 5 kPa。

2）測(cè)試時(shí)間GJB 360B-2009規(guī)定：如果沒有其他要求，可以從以下值中選擇低壓下的測(cè)試樣品測(cè)試時(shí)間：5min、 30min、 1h、 2h、 4h和16h。

3）升降壓率通常不超過(guò)10kPa/min三個(gè)、

四、問(wèn)題與措施

1、問(wèn)題

低壓測(cè)試期間組件可能暴露的缺陷包括：絕緣（電離、放電和介電損耗）和結(jié)點(diǎn)熱缺陷。

2、措施

1在低壓條件下，很容易產(chǎn)生排放。有必要加強(qiáng)絕緣電極和表面的絕緣。灌封過(guò)程是一種有效的解決方案。

2）組件的熱設(shè)計(jì)必須充分考慮低壓引起的溫度上升。